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70U120D

70U120D

Nur als Referenz

Teilenummer 70U120D
PNEDA Teilenummer 70U120D
Beschreibung DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.896
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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70U120D Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer70U120D
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
70U120D, 70U120D Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 98,54 KB)
PDF70UR120D Datenblatt Cover
70UR120D Datenblatt Seite 2 70UR120D Datenblatt Seite 3 70UR120D Datenblatt Seite 4 70UR120D Datenblatt Seite 5 70UR120D Datenblatt Seite 6 70UR120D Datenblatt Seite 7 70UR120D Datenblatt Seite 8

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70U120D Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)250A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.3V @ 785A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr60mA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypStud Mount
Paket / FallDO-205AB, DO-9, Stud
LieferantengerätepaketDO-205AB, DO-9
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-40°C ~ 200°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

850mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123H

Lieferantengerätepaket

SOD-123HE

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VT1080SHM3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

810mV @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

600µA @ 80V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

D1050N12TXPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

1050A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1000A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

60mA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

DO-200AB, B-PUK

Lieferantengerätepaket

-

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 180°C

SF17G R1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 500V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

BYT51D-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Avalanche

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

4µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOD-57

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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