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6N136F

6N136F

Nur als Referenz

Teilenummer 6N136F
PNEDA Teilenummer 6N136F
Beschreibung OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8DIP
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 5.634
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6N136F Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation2500Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)19% @ 16mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)200ns, 500ns
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)15V
Strom - Ausgang / Kanal8mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.65V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)25mA
Vce-Sättigung (max.)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-DIP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

19% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

300ns, 300ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

25V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.33V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

8-SMD

H11A817D300

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

300% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2.4µs, 2.4µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

HMA2701BR2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

160% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

40V

Strom - Ausgang / Kanal

80mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.3V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-Mini-Flat

4N37(SHORT,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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