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5HP01M-TL-E

5HP01M-TL-E

Nur als Referenz

Teilenummer 5HP01M-TL-E
PNEDA Teilenummer 5HP01M-TL-E
Beschreibung MOSFET P-CH 50V 0.07A MCP3
Hersteller ON Semiconductor
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5HP01M-TL-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer5HP01M-TL-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
5HP01M-TL-E, 5HP01M-TL-E Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 445,39 KB)
PDF5HP01M-TL-H Datenblatt Cover
5HP01M-TL-H Datenblatt Seite 2 5HP01M-TL-H Datenblatt Seite 3 5HP01M-TL-H Datenblatt Seite 4 5HP01M-TL-H Datenblatt Seite 5 5HP01M-TL-H Datenblatt Seite 6 5HP01M-TL-H Datenblatt Seite 7

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5HP01M-TL-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)50V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.70mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22Ohm @ 40mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.32nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6.2pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)150mW (Ta)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket3-MCP
Paket / FallSC-70, SOT-323

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PSMN3R3-40YS,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2754pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

117W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

IPA60R125P6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P6

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 960µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2660pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

34W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-FP

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

FQA6N90_F109

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1880pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

198W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

HUFA76639P3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UltraFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

51A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 51A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

180W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

NTB25P06T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

27.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

82mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

120W (Tj)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

SMBJ33CA-13-F

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B350B-13-F

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DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMB

AMT102-V

AMT102-V

CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

B3F-1000

B3F-1000

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

MPXM2010GS

MPXM2010GS

NXP

SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2

LFXP2-17E-6FTN256I

LFXP2-17E-6FTN256I

Lattice Semiconductor Corporation

IC FPGA 201 I/O 256FTBGA

BSS138

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MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

STM8S003F3P6

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STMicroelectronics

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AD9850BRSZ

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IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP

WSL2010R0160FEA

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Vishay Dale

WSL-2010 .016 1% EA E3

TC4427AEOA713

TC4427AEOA713

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IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC