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4N45-500E

4N45-500E

Nur als Referenz

Teilenummer 4N45-500E
PNEDA Teilenummer 4N45-500E
Beschreibung OPTOISO 3.75KV DARL W/BASE 6SMD
Hersteller Broadcom
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4N45-500E Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer4N45-500E
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
4N45-500E, 4N45-500E Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 226,97 KB)
PDF4N46-300E Datenblatt Cover
4N46-300E Datenblatt Seite 2 4N46-300E Datenblatt Seite 3 4N46-300E Datenblatt Seite 4 4N46-300E Datenblatt Seite 5 4N46-300E Datenblatt Seite 6 4N46-300E Datenblatt Seite 7 4N46-300E Datenblatt Seite 8 4N46-300E Datenblatt Seite 9 4N46-300E Datenblatt Seite 10 4N46-300E Datenblatt Seite 11

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4N45-500E Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation3750Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)200% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)1000% @ 10mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)5µs, 150µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypDarlington with Base
Spannung - Ausgang (max.)7V
Strom - Ausgang / Kanal60mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.4V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)20mA
Vce-Sättigung (max.)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket6-SMD

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Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

35V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-30°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

4-SMD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

40% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

20µs, 50µs (Max)

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.23V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

FOD817D300W

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

300% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

10% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

500mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 4µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1.6µs, 2.2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

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