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4N35

4N35

Nur als Referenz

Teilenummer 4N35
PNEDA Teilenummer 4N35_242
Beschreibung OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division
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Auf Lager 163.942
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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4N35 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer4N35
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
4N35, 4N35 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 129,5 KB)
PDF4N36 Datenblatt Cover
4N36 Datenblatt Seite 2 4N36 Datenblatt Seite 3 4N36 Datenblatt Seite 4 4N36 Datenblatt Seite 5 4N36 Datenblatt Seite 6 4N36 Datenblatt Seite 7

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4N35 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Opto Division
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)100% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)10µs, 10µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)70V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.3V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)50mA
Vce-Sättigung (max.)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

300% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-Mini-Flat

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

19% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

50% @ 16mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

200ns, 600ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

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Hersteller

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

-

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Photovoltaic, Linearized

Spannung - Ausgang (max.)

-

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-Flatpack

CNY17-3X017T

Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.39V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

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Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

10µs, 9µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

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