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4N33-X00

4N33-X00

Nur als Referenz

Teilenummer 4N33-X00
PNEDA Teilenummer 4N33-X00
Beschreibung OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
Hersteller Vishay Semiconductor Opto Division
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Auf Lager 2.610
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4N33-X00 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer4N33-X00
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
4N33-X00, 4N33-X00 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 122,13 KB)
PDF4N33-X00 Datenblatt Cover
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4N33-X00 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Opto Division
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5300Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)500% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)5µs, 100µs (Max)
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypDarlington with Base
Spannung - Ausgang (max.)30V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.25V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)1V (Typ)
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

TT Electronics/Optek Technology

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

350V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

SFH617A-4X016

Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

160% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

320% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.35V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

SFH608-3X001

Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

8µs, 7.5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

55V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

FOD2711A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.5V (Max)

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

Hersteller

CEL

Serie

NEPOC

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

150% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

40V

Strom - Ausgang / Kanal

40mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

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