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4N30S1(TB)

4N30S1(TB)

Nur als Referenz

Teilenummer 4N30S1(TB)
PNEDA Teilenummer 4N30S1-TB
Beschreibung OPTOISO 5KV DARL W/BASE 6SMD
Hersteller Everlight Electronics Co Ltd
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Auf Lager 5.094
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

4N30S1(TB) Ressourcen

Marke Everlight Electronics Co Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer4N30S1(TB)
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
4N30S1(TB), 4N30S1(TB) Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 713,95 KB)
PDFH11B3 Datenblatt Cover
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4N30S1(TB) Technische Daten

HerstellerEverlight Electronics Co Ltd
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)100% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)5µs, 40µs (Max)
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypDarlington with Base
Spannung - Ausgang (max.)55V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)1V
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket6-SMD

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

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Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

200% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

200µs, 200µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington

Spannung - Ausgang (max.)

40V

Strom - Ausgang / Kanal

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

5µs, 5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

300V

Strom - Ausgang / Kanal

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

80mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

7.5µs, 5.7µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3.2µs, 4.7µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

80µs, 50µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10µs, 10µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

120V

Strom - Ausgang / Kanal

30mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-Mini-Flat

HCPL-817-W0CE

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

200% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

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Through Hole

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