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4N26M

4N26M

Nur als Referenz

Teilenummer 4N26M
PNEDA Teilenummer 4N26M
Beschreibung OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 121.420
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

4N26M Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer4N26M
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
4N26M, 4N26M Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 398,34 KB)
PDFH11A4VM Datenblatt Cover
H11A4VM Datenblatt Seite 2 H11A4VM Datenblatt Seite 3 H11A4VM Datenblatt Seite 4 H11A4VM Datenblatt Seite 5 H11A4VM Datenblatt Seite 6 H11A4VM Datenblatt Seite 7 H11A4VM Datenblatt Seite 8 H11A4VM Datenblatt Seite 9 H11A4VM Datenblatt Seite 10 H11A4VM Datenblatt Seite 11

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4N26M Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation4170Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)20% @ 10mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)2µs, 2µs
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)30V
Strom - Ausgang / Kanal-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.18V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)60mA
Vce-Sättigung (max.)500mV
Betriebstemperatur-40°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall6-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket6-DIP

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Spannungsisolation

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Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

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Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

200% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

40% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

125% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

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4-DIP

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

TPC816S1B RAG

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

130% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

260% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

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