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409CNQ135

409CNQ135

Nur als Referenz

Teilenummer 409CNQ135
PNEDA Teilenummer 409CNQ135_AD
Beschreibung DIODE MODULE 135V 200A TO244AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 4.752
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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409CNQ135 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer409CNQ135
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
409CNQ135, 409CNQ135 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 159,66 KB)
PDF409CNQ135 Datenblatt Cover
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409CNQ135 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)135V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.03V @ 200A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr6mA @ 135V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 175°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallTO-244AB
LieferantengerätepaketTO-244AB

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

60A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

975mV @ 60A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

500V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

16A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 500V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

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Diodenkonfiguration

2 Independent

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

80V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

840mV @ 50A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 80V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

MSRT150140(A)D

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

150A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 150A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1400V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

15A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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