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3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E

Nur als Referenz

Teilenummer 3SK263-5-TG-E
PNEDA Teilenummer 3SK263-5-TG-E
Beschreibung FET RF 15V 200MHZ CP4
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.454
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 2 - Jan 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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3SK263-5-TG-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer3SK263-5-TG-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
3SK263-5-TG-E, 3SK263-5-TG-E Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 1.050,23 KB)
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3SK263-5-TG-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypN-Channel Dual Gate
Frequenz200MHz
Gewinn21dB
Spannungstest6V
Nennstrom (Ampere)30mA
Rauschzahl2.2dB
Stromtest10mA
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung15V
Paket / FallTO-253-4, TO-253AA
Lieferantengerätepaket4-CP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

450mA

Leistung - Leistung

14W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272-2

Lieferantengerätepaket

TO-272-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

12.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-880S

Lieferantengerätepaket

NI-880S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

610mA

Leistung - Leistung

12W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272-4

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

ATF-551M4-BLK

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

2.7V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

14.6dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

0505 (1412 Metric)

Lieferantengerätepaket

MiniPak 1412

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

860MHz

Gewinn

22.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

90W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

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DS1818R-10+T&R

DS1818R-10+T&R

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ADP1706ACPZ-3.3-R7

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MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

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NAND256W3A2BZA6E

NAND256W3A2BZA6E

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IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

LTC2943IDD

LTC2943IDD

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CY7C68013A-128AXC

CY7C68013A-128AXC

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TOP227YN

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