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30CTH02STRL

30CTH02STRL

Nur als Referenz

Teilenummer 30CTH02STRL
PNEDA Teilenummer 30CTH02STRL
Beschreibung DIODE ARRAY GP 200V 15A D2PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
Stückpreis
1 ---------- $13,6438
100 ---------- $13,0042
250 ---------- $12,3647
500 ---------- $11,7251
750 ---------- $11,1922
1.000 ---------- $10,6592
Auf Lager 473
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 17 - Jan 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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30CTH02STRL Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer30CTH02STRL
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Arrays
Datenblatt
30CTH02STRL, 30CTH02STRL Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 100,1 KB)
PDF30CTH02S Datenblatt Cover
30CTH02S Datenblatt Seite 2 30CTH02S Datenblatt Seite 3 30CTH02S Datenblatt Seite 4 30CTH02S Datenblatt Seite 5 30CTH02S Datenblatt Seite 6 30CTH02S Datenblatt Seite 7

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30CTH02STRL Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieFRED Pt®
Diodenkonfiguration1 Pair Common Cathode
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)15A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.05V @ 15A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 200V
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Serie

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

200A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 100A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1mA @ 20V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 100V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

MSRTA600140(A)

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1400V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

600A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 600A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 600V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

27A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 20A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 1200V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

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Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode

Diodentyp

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Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

30V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

80A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 80A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5mA @ 30V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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