2SK880-Y(TE85L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SK880-Y(TE85L,F) | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SK880-Y-TE85L-F | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | JFET N-CH 50V 0.1W USM | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 5.933 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2SK880-Y(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK880-Y(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - JFETs |
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2SK880-Y(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) | 50V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2mA @ 10V |
| Stromaufnahme (Id) - max | - |
| Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id | 1.5V @ 100nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung - max | 100mW |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | USM |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) 35V Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 20mA @ 15V Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id 3V @ 1µA Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) 30 Ohms Leistung - max 350mW Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ - Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS) - Drain to Source Voltage (Vdss) - Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Stromaufnahme (Id) - max - Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Widerstand - RDS (Ein) - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-71-6 Lieferantengerätepaket TO-71 |
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