2SK4222
Nur als Referenz
Teilenummer | 2SK4222 |
PNEDA Teilenummer | 2SK4222 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 23A TO-3PB |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.390 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
2SK4222 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 2SK4222 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 2SK4222 Datasheet
- where to find 2SK4222
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor 2SK4222
- 2SK4222 PDF Datasheet
- 2SK4222 Stock
- 2SK4222 Pinout
- Datasheet 2SK4222
- 2SK4222 Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- 2SK4222 Price
- 2SK4222 Distributor
2SK4222 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 23A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340mOhm @ 11.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 220W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3PB |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 93A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.45V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2160pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 79W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 43A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 54mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET®, StrongIRFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 324nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10820pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 294W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 750mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 5V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 927pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |