2SK4151TZ-E
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| Teilenummer | 2SK4151TZ-E |
| PNEDA Teilenummer | 2SK4151TZ-E |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 1A TO-92 |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.770 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SK4151TZ-E Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK4151TZ-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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2SK4151TZ-E Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95Ohm @ 500mA, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 4V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 98pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 750mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.5A (Ta), 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1039pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.76W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerDI3333-8 Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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