2SK3817-DL-E
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| Teilenummer | 2SK3817-DL-E |
| PNEDA Teilenummer | 2SK3817-DL-E |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 60A SMP-FD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SK3817-DL-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK3817-DL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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2SK3817-DL-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.65W (Ta), 65W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SMP-FD |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 3V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 85pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall E-Line-3 |
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