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2SK3475TE12LF

2SK3475TE12LF

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK3475TE12LF
PNEDA Teilenummer 2SK3475TE12LF
Beschreibung MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 8.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2SK3475TE12LF Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK3475TE12LF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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2SK3475TE12LF Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz520MHz
Gewinn14.9dB
Spannungstest7.2V
Nennstrom (Ampere)1A
Rauschzahl-
Stromtest50mA
Leistung - Leistung630mW
Spannung - Nennspannung20V
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSC-62

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.81GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

31.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

40mA

Leistung - Leistung

4W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1211-1

Lieferantengerätepaket

16-HSOPF

BLP10H6120PGY

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

1.4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

80mA

Leistung - Leistung

120W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

SOT-1224-2

Lieferantengerätepaket

4-HSOPF

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

700MHz ~ 1GHz

Gewinn

20.6dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1223-1

Lieferantengerätepaket

4-HSOPF

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

1.88GHz

Gewinn

15.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT539B

Lieferantengerätepaket

SOT539B

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

HFET

Frequenz

12GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

70mA

Rauschzahl

0.35dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

S02

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