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2SK3079ATE12LQ

2SK3079ATE12LQ

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK3079ATE12LQ
PNEDA Teilenummer 2SK3079ATE12LQ
Beschreibung MOSF RF N CH 10V PW-X
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SK3079ATE12LQ Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK3079ATE12LQ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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2SK3079ATE12LQ Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz470MHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest4.5V
Nennstrom (Ampere)3A
Rauschzahl-
Stromtest50mA
Leistung - Leistung33.5dBmW
Spannung - Nennspannung10V
Paket / FallTO-271AA
LieferantengerätepaketPW-X

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

2SK3074TE12LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

520MHz

Gewinn

14.9dB

Spannungstest

9.6V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

630mW

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SC-62

PXAC261202FCV1R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.61GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

230mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

960MHz

Gewinn

19.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.4A

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CE3521M4

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

20GHz

Gewinn

11.9dB

Spannungstest

2V

Nennstrom (Ampere)

15mA

Rauschzahl

1.05dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

125mW

Spannung - Nennspannung

4V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

4-Super Mini Mold

Kürzlich verkauft

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Microchip Technology

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