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2SK3079ATE12LQ

2SK3079ATE12LQ

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK3079ATE12LQ
PNEDA Teilenummer 2SK3079ATE12LQ
Beschreibung MOSF RF N CH 10V PW-X
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 3.042
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SK3079ATE12LQ Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK3079ATE12LQ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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2SK3079ATE12LQ Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz470MHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest4.5V
Nennstrom (Ampere)3A
Rauschzahl-
Stromtest50mA
Leistung - Leistung33.5dBmW
Spannung - Nennspannung10V
Paket / FallTO-271AA
LieferantengerätepaketPW-X

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2SK3074TE12LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

520MHz

Gewinn

14.9dB

Spannungstest

9.6V

Nennstrom (Ampere)

1A

Rauschzahl

-

Stromtest

50mA

Leistung - Leistung

630mW

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SC-62

PTFA211801E-V5-R0

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

180W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

Lieferantengerätepaket

H-36260-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

960MHz

Gewinn

19.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.4A

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

70V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

LET9060C

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

75W

Spannung - Nennspannung

80V

Paket / Fall

M243

Lieferantengerätepaket

M243

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

72W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Kürzlich verkauft

ESDALC5-1BM2

ESDALC5-1BM2

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V SOD882

MAX202EEUE

MAX202EEUE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

TAJA106K016RNJ

TAJA106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1206

WSL25125L000FTA

WSL25125L000FTA

Vishay Dale

WSL-2512 .005 1% R86

0154007.DR

0154007.DR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD

AD8109ASTZ

AD8109ASTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 80LQFP

MP2144GJ-Z

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Monolithic Power Systems Inc.

IC REG BUCK ADJ 2A TSOT23-8

MT48LC4M16A2P-75 IT:G

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Micron Technology Inc.

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

LTC4303IMS8#TRPBF

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