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2SK2962(TE6,F,M)

2SK2962(TE6,F,M)

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK2962(TE6,F,M)
PNEDA Teilenummer 2SK2962-TE6-F-M
Beschreibung MOSFET N-CH
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 2.412
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SK2962(TE6 Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK2962(TE6,F,M)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
2SK2962(TE6, 2SK2962(TE6 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 382,36 KB)
PDF2SK2962 Datenblatt Cover
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2SK2962(TE6 Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie*
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-92MOD
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Long Body

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

840mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

440mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.65nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

37pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

530mW (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-75

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

TK39A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

38.8A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4100pF @ 300V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220SIS

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

R6004ENDTL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

980mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

CPT3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTD20N03L27G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.9nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.75W (Ta), 74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDPF55N06

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 27.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Kürzlich verkauft

2SA1037AKT146R

2SA1037AKT146R

Rohm Semiconductor

TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

FXMA2102UMX

FXMA2102UMX

ON Semiconductor

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8MLP

NC7SB3157P6X

NC7SB3157P6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT SC70-6

MAX1686HEUA+T

MAX1686HEUA+T

Maxim Integrated

IC REG CHARG PUMP SIM 1OUT 8UMAX

SMBJ40A

SMBJ40A

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMB

MT41K256M16HA-125 AIT:E

MT41K256M16HA-125 AIT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

BYG10D-E3/TR

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

MTA8ATF51264HZ-2G6B1

Micron Technology Inc.

IC DRAM 32G PARALLEL 1333MHZ

TAJE477K010RNJ

TAJE477K010RNJ

CAP TANT 470UF 10% 10V 2917

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

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IC PW DIST SW DUAL 8SOIC