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2SK2854(TE12L,F)

2SK2854(TE12L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer 2SK2854(TE12L,F)
PNEDA Teilenummer 2SK2854-TE12L-F
Beschreibung MOSFET RF N CH 10V 500MA
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 6.066
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SK2854(TE12L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SK2854(TE12L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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2SK2854(TE12L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypN-Channel
Frequenz849MHz
Gewinn-
Spannungstest-
Nennstrom (Ampere)500mA
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung23dBmW
Spannung - Nennspannung10V
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketPW-MINI

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

19.6dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

112V

Paket / Fall

NI-1230-4S GW

Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S GULL

MAGX-000035-015000

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

0Hz ~ 3GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

800mA

Rauschzahl

-

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

500mW

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CGHV14500F

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

1.2GHz ~ 1.4GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

36A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

500W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

440117

Lieferantengerätepaket

440117

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.93GHz ~ 1.99GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

38W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

Kürzlich verkauft

AEDS-8011-A11

AEDS-8011-A11

Broadcom

ROTARY ENCODER OPTICAL 500PPR

NVMFS5A160PLZT1G

NVMFS5A160PLZT1G

ON Semiconductor

-60V7.7MOHMSINGLE

CY37064P44-125JXC

CY37064P44-125JXC

Cypress Semiconductor

IC CPLD 64MC 10NS 44PLCC

7508110151

7508110151

Wurth Electronics Midcom

WE-UNIT OFFLINE TRANSFORMER

BAT43WS-7-F

BAT43WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323

J201

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ON Semiconductor

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

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Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

SI8901D-A01-GS

SI8901D-A01-GS

Silicon Labs

IC ADC 10BIT SAR 16SOIC

IM03GR

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TE Connectivity Potter & Brumfield Relays

RELAY TELECOM DPDT 2A 5VDC

AMT102-V

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CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

EEE-FK1J220P

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Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 22UF 20% 63V SMD

SMBJ5.0CA-13-F

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Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB