2SK1829TE85LF
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| Teilenummer | 2SK1829TE85LF |
| PNEDA Teilenummer | 2SK1829TE85LF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 0.05A USM |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.292 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SK1829TE85LF Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SK1829TE85LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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2SK1829TE85LF Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 50mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40Ohm @ 10mA, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5.5pF @ 3V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-70 |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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