Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

2SJ649-AZ

2SJ649-AZ

Nur als Referenz

Teilenummer 2SJ649-AZ
PNEDA Teilenummer 2SJ649-AZ
Beschreibung MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.866
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SJ649-AZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SJ649-AZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
2SJ649-AZ, 2SJ649-AZ Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 204,93 KB)
PDF2SJ649-AZ Datenblatt Cover
2SJ649-AZ Datenblatt Seite 2 2SJ649-AZ Datenblatt Seite 3 2SJ649-AZ Datenblatt Seite 4 2SJ649-AZ Datenblatt Seite 5 2SJ649-AZ Datenblatt Seite 6 2SJ649-AZ Datenblatt Seite 7 2SJ649-AZ Datenblatt Seite 8 2SJ649-AZ Datenblatt Seite 9 2SJ649-AZ Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • 2SJ649-AZ Datasheet
  • where to find 2SJ649-AZ
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America 2SJ649-AZ
  • 2SJ649-AZ PDF Datasheet
  • 2SJ649-AZ Stock

  • 2SJ649-AZ Pinout
  • Datasheet 2SJ649-AZ
  • 2SJ649-AZ Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • 2SJ649-AZ Price
  • 2SJ649-AZ Distributor

2SJ649-AZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220 Isolated Tab
Paket / FallTO-220-3 Isolated Tab

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FQB15P12TM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

120V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.75W (Ta), 100W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDB12N50FTM-WS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1395pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

165W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMT3004LFG-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.4A (Ta), 25A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2370pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SI7186DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2840pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.2W (Ta), 64W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

SI4876DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 21A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Kürzlich verkauft

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

25AA512T-I/SM

25AA512T-I/SM

Microchip Technology

IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8SOIJ

TSV611ILT

TSV611ILT

STMicroelectronics

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5

MTD20P03HDLT4

MTD20P03HDLT4

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 19A DPAK

RT0402BRD07100RL

RT0402BRD07100RL

Yageo

RES SMD 100 OHM 0.1% 1/16W 0402

AD8109ASTZ

AD8109ASTZ

Analog Devices

IC VIDEO CROSSPOINT SWIT 80LQFP

LTC1625CS#PBF

LTC1625CS#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK/BOOST 16SOIC

FMG2G400US60

FMG2G400US60

ON Semiconductor

IGBT MOLDING 600V 400A 7PM-IA

ADF4351BCPZ

ADF4351BCPZ

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO 32LFCSP

MAX531BCPD+

MAX531BCPD+

Maxim Integrated

IC DAC 12BIT V-OUT 14DIP

SMBJ5.0CA

SMBJ5.0CA

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

MURS160T3G

MURS160T3G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 2A SMB