2SJ599(0)-Z-E1-AZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SJ599(0)-Z-E1-AZ | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SJ599-0-Z-E1-AZ | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | TRANSISTOR | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
|
||||||||||||||||||
| Auf Lager | 88.428 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||
2SJ599(0)-Z-E1-AZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | 2SJ599(0)-Z-E1-AZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
2SJ599(0)-Z-E1-AZ, 2SJ599(0)-Z-E1-AZ Datenblatt
(Total Pages: 10, Größe: 237,81 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 2SJ599(0)-Z-E1-AZ Datasheet
- where to find 2SJ599(0)-Z-E1-AZ
- Renesas Electronics America
- Renesas Electronics America 2SJ599(0)-Z-E1-AZ
- 2SJ599(0)-Z-E1-AZ PDF Datasheet
- 2SJ599(0)-Z-E1-AZ Stock
- 2SJ599(0)-Z-E1-AZ Pinout
- Datasheet 2SJ599(0)-Z-E1-AZ
- 2SJ599(0)-Z-E1-AZ Supplier
- Renesas Electronics America Distributor
- 2SJ599(0)-Z-E1-AZ Price
- 2SJ599(0)-Z-E1-AZ Distributor
2SJ599(0)-Z-E1-AZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | - |
| Technologie | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 43mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 15W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DFN2020MD-6 Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 696pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 94W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-251 (IPAK) Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, Polar3™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller IXYS Serie PolarHT™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 84mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (IXTA) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 500mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-TSOP Paket / Fall SOT-23-6 |
