2SD315AI-33
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SD315AI-33 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2SD315AI-33 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT DVR CORE 3300V | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Power Integrations | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 1.691 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 2 - Apr 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2SD315AI-33 Ressourcen
| Marke | Power Integrations |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SD315AI-33 |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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2SD315AI-33 Technische Daten
| Hersteller | Power Integrations |
| Serie | SCALE™-1 |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | - |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 15V |
| Logikspannung - VIL, VIH | - |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 18A, 18A |
| Eingabetyp | - |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | Module |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 4.5A, 4.5A Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 9.5ns, 9ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
