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2SD256500A

2SD256500A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SD256500A
PNEDA Teilenummer 2SD256500A
Beschreibung TRANS NPN 400V 0.5A MT-2
Hersteller Panasonic Electronic Components
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2SD256500A Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SD256500A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2SD256500A, 2SD256500A Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 223,73 KB)
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2SD256500A Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)400V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 50mA, 250mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 30mA, 5V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang30MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall3-SIP
LieferantengerätepaketMT-2-A1

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

450V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 20mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

12 @ 40mA, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

20MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

BCX6925TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 500mA, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

DSA2002S0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

170 @ 150mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

Mini3-G3-B-B

2N3019S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

Leistung - max

800mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39 (TO-205AD)

FJP13007H2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

26 @ 2A, 5V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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TO-220-3

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