2SCR502EBTL
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| Teilenummer | 2SCR502EBTL |
| PNEDA Teilenummer | 2SCR502EBTL |
| Beschreibung | TRANS NPN 30V 0.5A EMT3F |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 21.786 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SCR502EBTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SCR502EBTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2SCR502EBTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 200mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 200nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Leistung - max | 150mW |
| Frequenz - Übergang | 360MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-89, SOT-490 |
| Lieferantengerätepaket | EMT3F (SOT-416FL) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 800mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V Leistung - max 30W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-225AA, TO-126-3 Lieferantengerätepaket TO-225AA |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 230mV @ 255mA, 5.1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2A, 2V Leistung - max 2.1W Frequenz - Übergang 130MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
