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2SC3507

2SC3507

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC3507
PNEDA Teilenummer 2SC3507
Beschreibung TRANS NPN 800V 5A TOP-3F
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 3.672
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2SC3507 Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC3507
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2SC3507, 2SC3507 Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 256,06 KB)
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2SC3507 Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)800V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 600mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce6 @ 3A, 5V
Leistung - max3W
Frequenz - Übergang6MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTOP-3F
LieferantengerätepaketTOP-3F-A1

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/461

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

225V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 125mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-213AA, TO-66-2

Lieferantengerätepaket

TO-66 (TO-213AA)

BC557ABU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MMS8050-H-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 1V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

2N3501L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

KSE700S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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