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2SC2668-R-AP

2SC2668-R-AP

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC2668-R-AP
PNEDA Teilenummer 2SC2668-R-AP
Beschreibung TRANSISTOR TO-92 MOD
Hersteller Micro Commercial Co
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Auf Lager 3.834
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2SC2668-R-AP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC2668-R-AP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2SC2668-R-AP, 2SC2668-R-AP Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 421,92 KB)
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2SC2668-R-AP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 1mA, 6V
Leistung - max200mW
Frequenz - Übergang550MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92S

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 5V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-71

Lieferantengerätepaket

3-NMP

MJE3439G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 20mA, 10V

Leistung - max

15W

Frequenz - Übergang

15MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-225AA

KST4401MTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

750mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 1V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

TIP120G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 20mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 3V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 1V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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