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2SC2655-Y,T6F(J

2SC2655-Y,T6F(J

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC2655-Y,T6F(J
PNEDA Teilenummer 2SC2655-Y-T6F-J
Beschreibung TRANS NPN 2A 50V TO226-3
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC2655-Y Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC2655-Y,T6F(J
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
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2SC2655-Y Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
Leistung - max900mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Long Body
LieferantengerätepaketTO-92MOD

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

MJD47T4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

250V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Leistung - max

1.56W

Frequenz - Übergang

10MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

2SC4617EBTLR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

180MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

EMT3F (SOT-416FL)

ZTX968STOA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 200mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 1V

Leistung - max

1.58W

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

2N2432AUB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 1mA, 5V

Leistung - max

360mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UB

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