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2SC0108T2D0-12

2SC0108T2D0-12

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC0108T2D0-12
PNEDA Teilenummer 2SC0108T2D0-12
Beschreibung IC DUAL GATE DRIVER 8A
Hersteller Power Integrations
Stückpreis
1 ---------- $616,1677
50 ---------- $587,2848
100 ---------- $558,4020
200 ---------- $529,5191
400 ---------- $505,4500
500 ---------- $481,3810
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2SC0108T2D0-12 Ressourcen

Marke Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC0108T2D0-12
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
2SC0108T2D0-12, 2SC0108T2D0-12 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 234,47 KB)
PDF2SC0108T2D0-12 Datenblatt Cover
2SC0108T2D0-12 Datenblatt Seite 2 2SC0108T2D0-12 Datenblatt Seite 3 2SC0108T2D0-12 Datenblatt Seite 4 2SC0108T2D0-12 Datenblatt Seite 5 2SC0108T2D0-12 Datenblatt Seite 6 2SC0108T2D0-12 Datenblatt Seite 7 2SC0108T2D0-12 Datenblatt Seite 8

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2SC0108T2D0-12 Technische Daten

HerstellerPower Integrations
SerieSCALE™-2
Angetriebene KonfigurationHigh-Side or Low-Side
KanaltypIndependent
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT
Spannung - Versorgung14.5V ~ 15.5V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)8A, 8A
Eingabetyp-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)1200V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)17ns, 15ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7V ~ 17V

Logikspannung - VIL, VIH

1.2V, 2.55V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7.8ns, 6ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 140°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

10-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

10-WSON (4x4)

EL7457CLZ-T7

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

13.5ns, 13ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VQFN Exposed Pad

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PE29102A-X

pSemi

Hersteller

pSemi

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 6V

Logikspannung - VIL, VIH

0.6V, 1.6V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

100V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

900ps, 900ps

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

IR2235JPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

3-Phase

Anzahl der Treiber

6

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

90ns, 40ns

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

125mA, 250mA

Eingabetyp

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

80ns, 40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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