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2SB315B-FF1200R17KE3_B2

2SB315B-FF1200R17KE3_B2

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Teilenummer 2SB315B-FF1200R17KE3_B2
PNEDA Teilenummer 2SB315B-FF1200R17KE3_B2
Beschreibung MOD GATE DVR FF1200R17KE3_B2
Hersteller Power Integrations
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2SB315B-FF1200R17KE3_B2 Ressourcen

Marke Power Integrations
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SB315B-FF1200R17KE3_B2
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
2SB315B-FF1200R17KE3_B2, 2SB315B-FF1200R17KE3_B2 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 140,7 KB)
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2SB315B-FF1200R17KE3_B2 Technische Daten

HerstellerPower Integrations
SerieSCALE™-1
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSingle
Anzahl der Treiber2
Gate-TypIGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung0V ~ 16V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)-
Eingabetyp-
High Side Voltage - Max (Bootstrap)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Maxim Integrated

Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.1V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

32ns, 26ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

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Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10.8V ~ 13.2V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.25A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

36V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

26ns, 18ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SN75453BDR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.75V ~ 5.25V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 500mA

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5ns, 7ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

IR2155

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 500mA

Eingabetyp

RC Input Circuit

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

80ns, 45ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

MIC5016YN

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

2.75V ~ 30V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

-

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

14-DIP (0.300", 7.62mm)

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