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2SB1237TV2P

2SB1237TV2P

Nur als Referenz

Teilenummer 2SB1237TV2P
PNEDA Teilenummer 2SB1237TV2P
Beschreibung TRANS PNP 32V 1A ATV
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.384
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SB1237TV2P Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SB1237TV2P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2SB1237TV2P, 2SB1237TV2P Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 143,56 KB)
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2SB1237TV2P Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)32V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce82 @ 100mA, 3V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang150MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall3-SIP
LieferantengerätepaketATV

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

Leistung - max

150mW

Frequenz - Übergang

360MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

EMT3F (SOT-416FL)

NST848BF3T5G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

290mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1123

Lieferantengerätepaket

SOT-1123

BF493SG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 2mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 10V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

JANSR2N2907AUB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/291

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 10V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UB

JANTX2N3741

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

Military, MIL-PRF-19500/441

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 1.25mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 1V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-66 (TO-213AA)

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