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2SB1236TV2R

2SB1236TV2R

Nur als Referenz

Teilenummer 2SB1236TV2R
PNEDA Teilenummer 2SB1236TV2R
Beschreibung TRANS PNP 120V 1.5A ATV
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 4.878
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2SB1236TV2R Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SB1236TV2R
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
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2SB1236TV2R Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.5A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)120V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic2V @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce180 @ 100mA, 5V
Leistung - max1W
Frequenz - Übergang50MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall3-SIP
LieferantengerätepaketATV

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.8V @ 40mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 2A, 3V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

JAN2N3749

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/315

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

20µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-111-4, Stud

Lieferantengerätepaket

TO-111

2N6547

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

5V @ 3A, 15A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

12 @ 5A, 2V

Leistung - max

175W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3

2SB1588

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 7mA, 7A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5000 @ 7A, 4V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

STBV45-AP

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 135mA, 400mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 400mA, 5V

Leistung - max

950mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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