2SB1030ARA
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SB1030ARA |
| PNEDA Teilenummer | 2SB1030ARA |
| Beschreibung | TRANS PNP 50V 0.5A NS-B1 |
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.676 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SB1030ARA Ressourcen
| Marke | Panasonic Electronic Components |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SB1030ARA |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2SB1030ARA Technische Daten
| Hersteller | Panasonic Electronic Components |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 30mA, 300mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1μA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 120MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 3-SSIP |
| Lieferantengerätepaket | NS-B1 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 1A, 2V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 75MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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