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2SB0940AP

2SB0940AP

Nur als Referenz

Teilenummer 2SB0940AP
PNEDA Teilenummer 2SB0940AP
Beschreibung TRANS PNP 180V 2A TO-220F
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 3.690
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2SB0940AP Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SB0940AP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
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2SB0940AP Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)180V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Leistung - max2W
Frequenz - Übergang30MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3 Full Pack
LieferantengerätepaketTO-220F-A1

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

MPSA06_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

SS8050BBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 80mA, 800mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 100mA, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

ZTX453

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

BC184LC

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

130 @ 100mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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