2SAR552PFRAT100
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Teilenummer | 2SAR552PFRAT100 |
PNEDA Teilenummer | 2SAR552PFRAT100 |
Beschreibung | PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.676 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SAR552PFRAT100 Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 2SAR552PFRAT100 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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2SAR552PFRAT100 Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Transistortyp | PNP |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3A |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Leistung - max | 500mW |
Frequenz - Übergang | 330MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-243AA |
Lieferantengerätepaket | MPT3 |
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ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 4A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 130MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket 2-TP-FA |
Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 45V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 2mA, 5V Leistung - max 200mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V Leistung - max 450mW Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket X2-DFN1006-3 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 1V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |