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2SAR512P5T100

2SAR512P5T100

Nur als Referenz

Teilenummer 2SAR512P5T100
PNEDA Teilenummer 2SAR512P5T100
Beschreibung PNP -30V -2A MEDIUM POWER TRANSI
Hersteller Rohm Semiconductor
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2SAR512P5T100 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SAR512P5T100
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
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2SAR512P5T100 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 35mA, 700mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 100mA, 2V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang430MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketMPT3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2A, 2V

Leistung - max

1.2W

Frequenz - Übergang

75MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223-4

2N5550BU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BC807-16HVL

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

320mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB

BC857BWH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

JANTXV2N7370

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/624

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 120mA, 12A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

Leistung - max

100W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-254AA

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