2SA1930,LBS2DIAQ(J
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SA1930,LBS2DIAQ(J |
| PNEDA Teilenummer | 2SA1930-LBS2DIAQ-J |
| Beschreibung | TRANS PNP 2A 180V TO220-3 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.002 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SA1930 Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SA1930,LBS2DIAQ(J |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2SA1930 Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 180V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Leistung - max | 2W |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220NIS |
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