2PS06017E32G28213NOSA1
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Teilenummer | 2PS06017E32G28213NOSA1 |
PNEDA Teilenummer | 2PS06017E32G28213NOSA1 |
Beschreibung | IGBT MODULE 1100VDC 325A |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.434 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2PS06017E32G28213NOSA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 2PS06017E32G28213NOSA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
Datenblatt |
2PS06017E32G28213NOSA1, 2PS06017E32G28213NOSA1 Datenblatt
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2PS06017E32G28213NOSA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Konfiguration | 2 Independent |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
Leistung - max | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
Eingabe | Standard |
NTC-Thermistor | Yes |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 55°C |
Montagetyp | Chassis Mount |
Paket / Fall | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Leistung - max 210W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 3mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D1 Lieferantengerätepaket D1 |
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