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2PD601AQW,115

2PD601AQW,115

Nur als Referenz

Teilenummer 2PD601AQW,115
PNEDA Teilenummer 2PD601AQW-115
Beschreibung TRANS NPN 50V 0.1A SOT323
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.730
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2PD601AQW Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2PD601AQW,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2PD601AQW, 2PD601AQW Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 328,46 KB)
PDF2PD601AS Datenblatt Cover
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2PD601AQW Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 2mA, 10V
Leistung - max200mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323-3

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 2A, 4V

Leistung - max

60W

Frequenz - Übergang

20MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

TIP41AG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 600mA, 6A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

700µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 3A, 4V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

3MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220AB

KSC838YTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 12V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 200mA, 5V

Leistung - max

900mW

Frequenz - Übergang

20MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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