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2PA1015GR,126

2PA1015GR,126

Nur als Referenz

Teilenummer 2PA1015GR,126
PNEDA Teilenummer 2PA1015GR-126
Beschreibung TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.244
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2PA1015GR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2PA1015GR,126
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2PA1015GR, 2PA1015GR Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 50,88 KB)
PDF2PA1015Y Datenblatt Cover
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2PA1015GR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypPNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
Leistung - max500mW
Frequenz - Übergang80MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

140V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

200V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 400mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

200nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-213AA, TO-66-2

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

225V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 125mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-213AA, TO-66-2

Lieferantengerätepaket

TO-66 (TO-213AA)

2N4399

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 6A, 30A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 15A, 2V

Leistung - max

5W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AA, TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 1V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

500MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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