Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

2N7002L6327HTSA1

2N7002L6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer 2N7002L6327HTSA1
PNEDA Teilenummer 2N7002L6327HTSA1
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.614
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N7002L6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N7002L6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • 2N7002L6327HTSA1 Datasheet
  • where to find 2N7002L6327HTSA1
  • Infineon Technologies

  • Infineon Technologies 2N7002L6327HTSA1
  • 2N7002L6327HTSA1 PDF Datasheet
  • 2N7002L6327HTSA1 Stock

  • 2N7002L6327HTSA1 Pinout
  • Datasheet 2N7002L6327HTSA1
  • 2N7002L6327HTSA1 Supplier

  • Infineon Technologies Distributor
  • 2N7002L6327HTSA1 Price
  • 2N7002L6327HTSA1 Distributor

2N7002L6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.6nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds20pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)500mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-SOT23-3
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

TSM950N10CW RPG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1480pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

9W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

HAT1069C-EL-E

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-CMFPAK

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

FDP39N20

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

39A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

66mOhm @ 19.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2130pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

251W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

BSC028N06LS3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta), 100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 93µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

175nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 139W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-1

Paket / Fall

8-PowerTDFN

IRF3706STRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

77A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2410pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

88W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

BC846B

BC846B

ON Semiconductor

TRANS NPN 65V 0.1A SOT-23

MAX4162ESA+

MAX4162ESA+

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

RB751S40

RB751S40

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523F

VLS252010ET-1R0N

VLS252010ET-1R0N

TDK

FIXED IND 1UH 1.75A 84 MOHM SMD

MT46V32M16P-5B IT:J

MT46V32M16P-5B IT:J

Micron Technology Inc.

IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP

SBR05U20LPS-7

SBR05U20LPS-7

Diodes Incorporated

DIODE SBR 20V 500MA 2DFN

AD9850BRSZ

AD9850BRSZ

Analog Devices

IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP

B3F-1000

B3F-1000

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

B350B-13-F

B350B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMB

0217002.MXP

0217002.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 2A 250VAC 5X20MM