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2N7002-T1-E3

2N7002-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer 2N7002-T1-E3
PNEDA Teilenummer 2N7002-T1-E3
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Hersteller Vishay Siliconix
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2N7002-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N7002-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
2N7002-T1-E3, 2N7002-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 58,99 KB)
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2N7002-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.115mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)200mW (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-236
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

34A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27.9mOhm @ 17.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 650µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35.8nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2540pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDS6630A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

460pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SKP202VR

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

95W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263-3

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AOTF2N60

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

31W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

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Technologie

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Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.6W (Ta), 34W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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