2N6987
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| Teilenummer | 2N6987 |
| PNEDA Teilenummer | 2N6987 |
| Beschreibung | TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.232 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2N6987 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N6987 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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2N6987 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | 4 PNP (Quad) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 600mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Leistung - max | 1.5W |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | TO-116 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 350MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD Lieferantengerätepaket VMT6 |
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