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2N5551,412

2N5551,412

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5551,412
PNEDA Teilenummer 2N5551-412
Beschreibung TRANS NPN 160V 0.3A TO-92
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.164
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2N5551 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5551,412
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
2N5551, 2N5551 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 53,91 KB)
PDF2N5551 Datenblatt Cover
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2N5551 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)300mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)160V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic200mV @ 5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)50nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Leistung - max630mW
Frequenz - Übergang300MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 10mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5000 @ 10A, 4V

Leistung - max

200W

Frequenz - Übergang

70MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

3-ESIP

Lieferantengerätepaket

MT-200

MJD122RLG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

JAN2N2221AUB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/255

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UB

2SD2671TL

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

370mV @ 75mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

280MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-96

Lieferantengerätepaket

TSMT3

FMBS2383

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 5V

Leistung - max

630mW

Frequenz - Übergang

120MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

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