2N5366_D26Z
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| Teilenummer | 2N5366_D26Z |
| PNEDA Teilenummer | 2N5366_D26Z |
| Beschreibung | TRANS PNP 40V 0.5A TO-92 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.336 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 30 - Jan 4 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2N5366_D26Z Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N5366_D26Z |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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2N5366_D26Z Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 40V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 30mA, 300mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 1V |
| Leistung - max | 625mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 160V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 120MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket TP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1mA, 6V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
Hersteller Sanken Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 150V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 6mA, 6A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5000 @ 6A, 4V Leistung - max 100W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-5 Lieferantengerätepaket TO-3P-5L |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/581 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 250mA, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 (TO-205AD) |
Hersteller Comchip Technology Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 100mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 2V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
