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2N5308_D26Z

2N5308_D26Z

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5308_D26Z
PNEDA Teilenummer 2N5308_D26Z
Beschreibung TRANS NPN DARL 40V 1.2A TO-92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.030
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2N5308_D26Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5308_D26Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
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2N5308_D26Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)40V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.4V @ 200µA, 200mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce7000 @ 2mA, 5V
Leistung - max625mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 80mA, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5A, 1V

Leistung - max

60W

Frequenz - Übergang

25MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

MMBT5401Q-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

JANTXV2N3439UA

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/368

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

350V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Leistung - max

800mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UA

KSE13003TATU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 500mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 500mA, 2V

Leistung - max

20W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

SMSD602-RT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 150mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59-3

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