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2N5192 SL H

2N5192 SL H

Nur als Referenz

Teilenummer 2N5192 SL H
PNEDA Teilenummer 2N5192-SL-H
Beschreibung TRANS NPN 80V 4A TO126
Hersteller Central Semiconductor Corp
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Auf Lager 5.922
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N5192 SL H Ressourcen

Marke Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N5192 SL H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2N5192 SL H Technische Daten

HerstellerCentral Semiconductor Corp
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic1.4V @ 1A, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 1.5A, 2V
Leistung - max40W
Frequenz - Übergang2MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-225AA, TO-126-3
LieferantengerätepaketTO-126

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

4V @ 2.5A, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

700µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3A, 4V

Leistung - max

3W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-218-3

Lieferantengerätepaket

SOT-93

KSD560YTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 3mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5000 @ 3A, 2V

Leistung - max

1.5W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

KSD1408GTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 300mA, 3A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

30µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

Leistung - max

25W

Frequenz - Übergang

8MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

2SCR543RTL

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 100mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 100mA, 3V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 15mA, 150mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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