2N4261UB
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| Teilenummer | 2N4261UB |
| PNEDA Teilenummer | 2N4261UB |
| Beschreibung | TRANS PNP 15V 0.03A |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.580 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2N4261UB Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N4261UB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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2N4261UB Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 1mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 10µA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 1V |
| Leistung - max | 200mW |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | UB |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 3A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 100V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1μA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V Leistung - max 15W Frequenz - Übergang 3MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252-2 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie * Transistortyp - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max - Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 20mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 10V Leistung - max 625mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92AP |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 450V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2A, 10A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max 125W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
