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2N2907A

2N2907A

Nur als Referenz

Teilenummer 2N2907A
PNEDA Teilenummer 2N2907A_1A9
Beschreibung DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP
Hersteller MICROSS/On Semiconductor
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Auf Lager 8.316
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N2907A Ressourcen

Marke MICROSS/On Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N2907A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2N2907A Technische Daten

HerstellerMICROSS/On Semiconductor
Serie*
Transistortyp-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Leistung - max-
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

FJP3305H2TU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1A, 4A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

26 @ 1A, 5V

Leistung - max

75W

Frequenz - Übergang

4MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

TIP147G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

3V @ 40mA, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 5A, 4V

Leistung - max

125W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

MJD210RLG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.8V @ 1A, 5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

45 @ 2A, 1V

Leistung - max

1.4W

Frequenz - Übergang

65MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

PHE13009,127

WeEn Semiconductors

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 1.6A, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 5A, 5V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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