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2N2432

2N2432

Nur als Referenz

Teilenummer 2N2432
PNEDA Teilenummer 2N2432
Beschreibung TRANS NPN 30V 0.1A
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.938
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 21 - Nov 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2N2432 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N2432
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single

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2N2432 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)10nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 1mA, 5V
Leistung - max300mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-65°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-206AA, TO-18-3 Metal Can
LieferantengerätepaketTO-18 (TO-206AA)

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

32V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 100mA, 3V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

UMT3

JANTX2N3420

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/393

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-5

MPSW51ARLRAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 100mA, 1V

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

50MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92 (TO-226)

BC337-040G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

800mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

250 @ 100mA, 1V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

210MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

PZT2222A/ZLX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

1.15W

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

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